产品简介：该产品为将石墨烯薄膜转移至Si/SiO2及Si基底上的一种产品形式，具有高电导率、高迁移率、半导体基底、良好的导热等性质，可用于电子元件（FET，MENMS等）、生物芯片、电极材料等使用。

规格参数：

产品特性:

◆ 外观均匀，无杂质

◆ 方阻均匀稳定

◆ 石墨烯单晶尺寸均匀，缺陷少

应用领域

■ 高速晶体管

■ MEMS

■ 生物芯片

■ 气体传感器和应变传感器

使用建议

● 保存条件：温度25-30℃，湿度不低于65% RH

● 禁止采用超声等接触式清洗过程

● 可根据器件的要求对其进行P型或者N型掺杂;

● 可根据所需的器件要求进行图案化等操作。